由于溫度下降到遠(yuǎn)低于沸點Tb以下，吸附作用在該處實際上已不可逆，故出現(xiàn)一個指數(shù)分布的峰尾，其“平均沉積寬度”為=11Q/48DQ，海寧高容器過濾器D分別是載氣實際流速和被吸附物的擴(kuò)散系數(shù)。在MonteCarlo模擬中，分子“跳躍”的平均距離接近。

   大多數(shù)研究者假定了GC理想的線性色譜模型，并且認(rèn)為所處理的氣體分子的吸附為簡單吸附（nonactiveadsorption）.但實際上，在許多情況下會發(fā)生化學(xué)吸附。最近Eicher確認(rèn)了在不同的實驗條件下，在GC柱子中會產(chǎn)生解離吸附、締合吸附、替代吸附等不同吸附機(jī)制。這將有助于確定氣相分離中的化學(xué)形式以及選擇最佳實驗條件。

   Zvara研究了揮發(fā)性與分子幾何參數(shù)之間的關(guān)系，提出了一個普適公式：（2n-4）x2/Tb∝=l/xn=CN（SHONNON配位數(shù)），Tb為沸點，l為相鄰分子間原子M，X表面可能的最近距離，x為外推到C.N.=1時的鹵原子半徑，為CN相關(guān)數(shù)。該公式適用于分子型多鹵化物，式中比例系數(shù)是與CN無關(guān)的常數(shù)。對于檢驗過的許多已知的金屬或非金屬元素的高鹵化物和氧化物，包括SF6、ThF4或WBr6這樣差別很大的化合物，在大約15%的范圍內(nèi)，該公式都是適用的。